Ricercatori italiani sviluppano un grafene

Jun 22, 2023

Ricercatori dell'ISOF-CNR, dell'Università di Napoli "Federico II" e dell'Università di Modena e Reggio Emilia hanno sviluppato nuovi transistor FET organici di tipo n (OFET) basati su fogli di grafene CVD. I ricercatori affermano che il nuovo processo e i materiali utilizzati possono consentire OFET flessibili, trasparenti e a canale corto, che potrebbero essere utilizzati in futuro per display OLED o OLET (transistor organico a emissione di luce).

Per creare i nuovi transistor, i ricercatori hanno utilizzato film sottili evaporati termicamente di PDIF-CN2 (un derivato del perilene diimmide) come semiconduttore organico per il canale attivo del transistor con il grafene CVD a strato singolo (coltivato presso l'istituto italiano IIT) come materiale dell'elettrodo. Le architetture finali del dispositivo sono state fabbricate tramite litografia a fascio di elettroni (EBL) e attacco ionico reattivo (RIE).

I ricercatori spiegano che questi nuovi OFET sfruttano le eccellenti proprietà meccaniche, ottiche ed elettriche del grafene. Il grafene sta ora colmando il divario con i materiali per elettrodi trasparenti più comunemente usati (come ITO e altre alternative a base di carbonio) in termini di resistenza e trasparenza del foglio.

Il prossimo passo per il gruppo di ricerca è realizzare dispositivi ad alta frequenza e ottenere il funzionamento MHz per i loro OFET basati su grafene.